氮化鎵單晶襯底
氮化鎵復(fù)合襯底
硅基氮化鎵外延片
MiniLED芯片
東莞市中鎵半導(dǎo)體科技有限公司成立于2009年1月,總部設(shè)于廣東東莞,總注冊(cè)資本為1.3億元人民幣,總部設(shè)立廠房辦公區(qū)等共17000多平方米,并在北京設(shè)立面積達(dá)1000平方米的大型研發(fā)中心,為中國國內(nèi)專業(yè)生產(chǎn)氮化鎵(GaN)襯底材料的企業(yè)。
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